نشرت اللجنة المسؤولة عن وضع معايير عالمية لصناعة الإلكترونيات الدقيقة ” JEDEC “، مواصفات حديثة لمعيار التخزين العالمي الفلاشي (UFS)، والذي يطلق عليه UFS 3.1، مشيرةً إلى أن المعيار يضمن سرعات أسرع للكتابة، وكفاءة طاقة أفضل، وأداء أكثر ثباتًا تحت الضغط.
ويعتبر معيار UFS 3.1 الجديد بديلاً لمعيار UFS 3.0، الذي بدأ يظهر في الأجهزة منتصف العام الماضي، حيث تبناه حينها هاتف سامسونج القابل للطي Samsung Galaxy Fold وهاتف ون بلس OnePlus 7 Pro.
ويسلط إعلان اللجنة، الضوء على ثلاث ميزات أساسية جديدة للمعيار الجديد من شأنها أن تزيد من أداء الجهاز مع تقليل استخدام الطاقة، والتي تشمل Write Booster وDeepSleep وتنبيه اختناق الأداء، والتي يجب أن تكون مفيدة من أجل تقديم أداء أكثر اتساقًا عند القيام بأنشطة مثل الألعاب على الهاتف الذكي.
وتعمل ميزة Write Booster على تضخيم سرعة الكتابة وجعلها أسرع، بينما يستهدف DeepSleep الأجهزة منخفضة التكلفة، والتي تستخدم حالة طاقة منخفضة جديدة من خلال مشاركة منظمات جهد UFS مع وظائف أخرى، في حين تسمح الميزة الأخيرة لجهاز UFS بتنبيه الجهاز المضيف عند اختناق الأداء بسبب زيادة درجة الحرارة.
ونشرت اللجنة معياراً آخراً يعرف باسم JESD220-3، والذي يسمح لرقاقة UFS بتخزين بعض بياناتها في ذاكرة DRAM في الهاتف لتوفير ذاكرة تخزين مؤقت أكبر وأسرع، وعلى الرغم من انخفاض أسعار رقاقات UFS كثيراً لدرجة أن الهواتف من الفئة المتوسطة والرائدة مجهزة بها، إلا أن البديل الجديد تضمن الكثير من العيوب، بما في ذلك عدم القدرة على القراءة والكتابة إلى التخزين في وقت واحد، وبالتالي فإن UFS أسرع من eMMC.
